佛山某半导体材料基带芯片开发厂，晶圆工作期间中导致含硅、氟的特殊化生活污水，设计构思操作总量1200吨/日。生活污水有效成分错综复杂，包含的纳米级级硅粒子及盐酸，一般操作措施不好不合格。 工业废水含量及源 包括造成的污染源 ：电解质溶液硅（100-500nm颗粒直径）、氟正离子（200-300mg/L）、异丙醇 主要来源加工过程 ：晶圆刻蚀焦化生产废水（45%）、CMP化学反应机戒打蜡 焦化生产废水（40%）、机 清洗水（15%） 操作新工艺工作流程 去创新用到"电学沉定+独特的膜破乳"能力路线图： 钙盐水解 ：加药系统氯化钙避开氟阳离子（形成CaF2沉定） 斜板沉淀池不良反应 ：组合斜板沉淀池剂做到氢氧化铁硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm口径膜截流微细颗料 反加入程序 ：脱盐率>98%，收售率75% 多效蒸发结晶体 ：浓水段完成氟化物污水处理技术出 最终能够作用 氟化物浓度值：<8mg/L（低过國家一级通过成绩规范标准10mg/L） 硅分子量：<5mg/L 水信息循环率：70%代替冷却水塔保湿 危险废弃物回收利用：多效蒸发杂质量较传统意义工艺流程以减少60%